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PVT (SiC)

Temperaturmessung des Kristallzüchtungstiegels von SiC mit Pyrometern

Die Herstellung von Siliziumkarbid-Kristallen (SiC) mittels PVT-Verfahren stellt höchste Anforderungen an die Temperaturüberwachung über lange Prozesszeiten. Langzeitstabile Pyrometer ermöglichen die zuverlässige berührungslose Messung bei 2.200 bis 2.400 °C und unterstützen eine reproduzierbare Kristallzüchtung. Pyrometer mit schmalem Messfeldverlauf ermöglichen Messungen durch kleine Öffnungen der Anlagen.

 

Industrial Solution Guide - Kristallzüchtung - PVT (SiC)